活動報告

入江真翔さん（工学部半導体デバイス 工学課程４年）が、ICAST2025より「Outstanding Presentation Award」を受賞しました。

本賞は、ガリウムナイトライド(GaN)を用いた高電子移動度トランジスタ(GaN-HEMT)にガンマ線を照射してその耐性について評価されたものです。