活動報告

平倉拓海さん（博士前期課程 情報電気工学専攻１年）が、半導体材料・デバイスフォーラム実行委員会より「第15回半導体材料・デバイスフォーラム ポスター発表優秀賞」を受賞しました。

（紹介コメント）

窒化ガリウム(GaN)系半導体の微細加工ではウェットエッチングが難しく、通常、ドライエッチングが用いられている。しかしドライエッチングは半導体表面に大きなダメージを与える可能性がある。そこで本研究では、新しいエッチング手法であるミストエッチング法を用い、GaN系半導体に適用し、その有効性を検証した。