活動報告

尾藤圭悟さん（博士前期課程 情報電気工学専攻２年）が、公益社団法人 自動車技術会より「2024年度 大学院研究奨励賞」を受賞しました。

（紹介コメント）

電気自動車(EV)の劇的なエネルギー効率向上にはインバータの性能向上が必須である。そこでワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)系材料が注目されているが、GaN系金属-酸化膜-半導体(MOS)デバイスは実用化していない。本研究では低コストなミスト化学気相成長(CVD)法を用いたゲート絶縁膜堆積技術を開発し、さらに新規MOS界面評価手法も開発した。本研究の成果は低コストかつ超高効率なEV向け次世代インバータ実現への寄与が期待される。